在半導體制造中，光刻膠用于光刻工藝中以在基板上形成電路圖案。制造過程主要包括以下步驟。

①清洗

涂敷光刻膠前，應che底清洗基材，保持表面清潔。

②光刻膠的涂敷

將光刻膠均勻地涂敷在基材上并干燥。此階段光刻膠的厚度和均勻性對后續(xù)圖形形成的精度有很大的影響。

③曝光 用紫外線照射光刻膠，在光刻膠上形成圖案。

發(fā)射光的波長和強度直接影響圖案的分辨率。

④顯影用顯影劑

對曝光后的光刻膠進行處理，除去不需要的部分。這使得設(shè)計的圖案出現(xiàn)在板上。

⑤蝕刻

顯影后，以光刻膠圖案為掩模，通過蝕刻去除基板上不需要的部分。

⑥去除光刻膠

最后，蝕刻完成后，去除光刻膠，進入下一步。